| टाइप | क्वार्ट्ज प्लेट साफ़ करें |
|---|---|
| आवेदन पत्र | सेमीकंडक्टर, ऑप्टिकल |
| मोटाई | 0.5-100 मिमी |
| आकार | वर्ग |
| प्रसंस्करण सेवा | झुकना, वेल्डिंग, छिद्रण, काटना, पॉलिश करना |
| प्रकार | क्वार्ट्ज प्लेट साफ़ करें |
|---|---|
| आवेदन | सेमीकंडक्टर, ऑप्टिकल |
| मोटाई | 0.5-100 मिमी |
| आकार | वर्ग |
| प्रसंस्करण सेवा | झुकना, वेल्डिंग, छिद्रण, काटना, पॉलिश करना |
| सामग्री | SiO2 |
|---|---|
| घनत्व | 2.2g / सेमी 3 |
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| वर्किंग टेम्परेचर | 1100 ℃ |
| यूवी संप्रेषण | 80% |
| सामग्री | 99.99% |
|---|---|
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2g / सेमी 3 |
| काम कर रहे अस्थायी | 1100 ℃ |
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| सामग्री | SiO2 |
|---|---|
| घनत्व | 2.2g / सेमी 3 |
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| वर्किंग टेम्परेचर | 1100 ℃ |
| यूवी संप्रेषण | 80% |
| सामग्री | SiO2 |
|---|---|
| घनत्व | 2.2g / सेमी 3 |
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| वर्किंग टेम्परेचर | 1100 ℃ |
| यूवी संप्रेषण | 80% |
| सामग्री | SiO2> 99.999% |
|---|---|
| घनत्व | 2.2 (g / cm3) |
| प्रकाश संप्रेषण | > 92% |
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| वर्किंग टेम्परेचर | 1100 ℃ |
| टाइप | क्वार्ट्ज प्लेट साफ़ करें |
|---|---|
| आवेदन पत्र | सेमीकंडक्टर, ऑप्टिकल |
| मोटाई | 0.5-100 मिमी |
| आकार | वर्ग |
| प्रसंस्करण सेवा | झुकने, वेल्डिंग, छिद्रण, काटना |
| टाइप | क्वार्ट्ज प्लेट साफ़ करें |
|---|---|
| आवेदन पत्र | सेमीकंडक्टर, ऑप्टिकल |
| मोटाई | 0.5-100 मिमी |
| आकार | वर्ग |
| प्रसंस्करण सेवा | झुकने, वेल्डिंग, छिद्रण, काटना, पॉलिश करना |
| सामग्री | SiO2 |
|---|---|
| कठोरता | मोर्स 6.5 |
| वर्किंग टेम्परेचर | 1100 ℃ |
| सतही गुणवत्ता | 20/40 या 40/60 |
| डाइलेट्रिक ताकत | 250～400Kv/सेमी |
