| नाम | क्वार्ट्ज ग्लास ट्यूब |
|---|---|
| फ़ीचर | अधिक दबाव |
| सामग्री | SiO2> 99.99% |
| आयुध डिपो | 3-300mm |
| लाभ | उत्कृष्ट दृश्य प्रदर्शन |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| SiO2 | 99.99% |
| कार्य तापमान | 1200 ℃ |
| पिघल बिंदु | 1750-1850 ℃ |
| प्रयोग | प्रयोगशाला, जीव विज्ञान, चिकित्सा |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
| नाम | क्वार्ट्ज ग्लास ट्यूब |
|---|---|
| आवेदन | स्रोत, सेमीकंडक्टर |
| सामग्री | Sio2>99.99% |
| विशेषता | अच्छा विद्युत इन्सुलेशन |
| प्रकाश संप्रेषण | >92% |
| नाम | क्वार्ट्ज ग्लास ट्यूब |
|---|---|
| आवेदन | स्रोत, सेमीकंडक्टर |
| सामग्री | Sio2>99.99% |
| विशेषता | अच्छा विद्युत इन्सुलेशन |
| प्रकाश संप्रेषण | >92% |
| प्रोडक्ट का नाम | क्वार्ट्ज ग्लास प्लेट |
|---|---|
| सामग्री | 99.99% |
| प्रकाश संप्रेषण | 92% |
| घनत्व | 2.2 ग्राम/सेमी3 |
| कार्य तापमान | 1100 ℃ |
